- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 制造商: | onsemi |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
| Id-连续漏极电流: | 6.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 20 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V, - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
| Qg-栅极电荷: | 17 nC, 14 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 2 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标名: | PowerTrench SyncFET |
| 系列: | FDS6986AS |
| 封装: | Reel |
| 商标: | onsemi / Fairchild |
| 配置: | Dual |
| 下降时间: | 3 ns |
| 正向跨导 - 小值: | 25 S, 15 S |
| 高度: | 1.75 mm |
| 长度: | 4.9 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 9 ns |
| 2500 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel |
| 类型: | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间: | 24 ns |
| 典型接通延迟时间: | 10 ns |
| 宽度: | 3.9 mm |
| 零件号别名: | FDS6986AS_NL |
| 单位重量: | 187 mg |
